ＳＬＶＣＣＣがいくら超低電圧とはいえ、プレート電圧を３Ｖ程度まで上昇させたとしても文句は来ないでしょう。何しろトランジスタでさえ９Ｖ乾電池で動作させているのですから。

ところが多くの小信号増幅回路はバイアス電圧が２Ｖ程度となっているため、３Ｖ以上の深いバイアスでは直線性があまり良くありません。

例えばシャープカットオフ管６ＡＵ６で、プレート電流が０,８ｍＡ程度になるようG１電圧とＧ２電圧を変化させて測定すると、バイアスが−３Vを越す深めの動作点においてｇｍ値の急変が観測できました。

そこで、Gm変動の緩やかなリモートカットオフ管６ＳＫ７の特性を観測してみると、かなり実用性があるようなので実験回路を組んでみました。


　


SLVCCCは出力インピーダンスが高いので１２BH７Aによるバッファを接続しました。上の回路でトータルのゲインはOUT１、OUT２それぞれ５０倍となっています。

バイアス１とバイアス２をじっくり調整した結果、１０ｋHzの歪率特性およびｆ特は下のグラフのようになりました。値はOUT２のものですが、OUT１でも同じです。


　　　　　　　　　　　　　　　




下の写真が良く調整した１０ｋHz：５０VｒｍｓにおけるOUT１とOUT２の特性で、オシロ上で位相を逆転し重ね合わせるとぴったり一致し、１つの波形のように見えます。三角波からはこの電圧でも直線性を保っていることが分かります。

　　　　


また矩形波もぴたりと一致し、両出力の周波数特性がそろっているのが分かり、ゲインのある位相反転回路として、かなり実用性が期待できます。

　　


ただしこの回路では作りっぱなしという訳には行かず、オシロを見ながらバイアス１とバイアス２を調整する必要があるため、製作にあたってややメンドウなのが残念です。

今後は２A３や３００BのハイパワーPPに向けて、１２０Vｒｍｓくらいまでドライブできる世界初SLVCCC−PP用ドライバーの実用回路を考えてみます。






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